上海先進(積塔半導體)| ASMC (GTA Semiconductor)

MEMS

  上海先進擁有超過10年的MEMS加工經驗,具備外延、深槽刻蝕和雙面光刻工藝能力,可以滿足3軸陀螺儀、流量傳感器、壓力傳感器及光學MEMS等代工要求。

 

 

雙面光刻工藝

 

掩膜版和硅片襯底
硅片尺寸:25mm-150mm
最大硅片尺寸:150mm×150mm
硅片厚度:最厚10mm
掩膜版尺寸:175mm×175mm

 

對準方式
正面對準(TSA):精度≤2μm
背面對準(BSA):精度≤4μm
鍵合對準精度:5μm

 

曝光模式
接觸式:軟接觸、硬接觸、真空接觸
接近式:曝光間距1-300mm
間距設置精度:1μm

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