上海先進(積塔半導體)| ASMC (GTA Semiconductor)

IGBT/FRD

現有工藝平臺

 

  上海先進擁有大規模生產IGBT的經驗,自2004年開始提供IGBT國內、外代工業務。

 

  上海先進2008年率先在國內建立IGBT背面工藝線,具備IGBT正面、背面、測試等完整的IGBT工藝能力。上海先進IGBT/FRD的電壓范圍覆蓋650V、1200V、1700V、3300V、4500V、6500V;技術能力包括PT、NPT、Field Stop,以及平面、溝槽IGBT等。

 

  上海先進在為國外客戶提供代工服務的同時,特別重視國內戰略客戶,積極融入高鐵、新能源汽車、智能電網等產業。

 

上海先進IGBT工藝發展與產品應用

 

上海先進IGBT工藝技術積極融入國家戰略產業鏈

 

工藝能力

 

正面工藝能力

 

6英寸正面320μm薄片工藝能力
溝槽工藝能力
F/S工藝解決方案:P注入+高溫爐管退火、外延、擴散片、背面高能H注入
FRD“RDiffus深結擴散
SIPOS工藝
正面厚鋁金屬工藝(壓接式)
低壓/高壓成熟polyimide工藝

 

背面工藝能力


背面減薄工藝能力(直接減薄、Taiko減薄工藝、硅表面處理)
背面(圖形)光刻能力
背面注入(背面“面注入s注入、爐管退火)
背面金屬(金屬前清洗、背面金屬蒸發或濺射)


FRD壽命控制技術


測試能力


靜態CP參數測試能力:8000V/200A
動態參數測試能力:1200V/800A
可靠性測試能力(HTRB, HTGB, HAST)

 

新工藝平臺建設和規劃

 

  上海先進6英寸晶圓廠具備完整的正面、背面工藝和靜態/動態/可靠性測試能力;專注于平面IGBT和FRD工藝平臺,電壓覆蓋1200V~6500V;技術發展路線包括NPT和Field Stop。
 

  上海先進8英寸晶圓廠目前具備正面、背面工藝和靜態/動態/可靠性測試能力,專注于Trench Field Stop IGBT工藝平臺,電壓覆蓋450V~1700V;技術發展路線為H注入Field Stop。

 

技術現狀與發展路線

 

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